特許

J-GLOBAL ID：201903004222233010

半導体装置の試験方法

発明者： 北島 聡一 ,  籾井 真介
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-100805
公開番号（公開出願番号）：特開2019-203855
出願日： 2018年05月25日
公開日（公表日）： 2019年11月28日
要約：

【課題】本発明は、半導体装置の試験方法に関し、精度を向上できる半導体装置の試験方法を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の試験方法は、第1抵抗と半導体装置とを直列に接続する工程と、該第1抵抗と該半導体装置が形成する直列回路の両端に電圧を印加した状態で、該半導体装置のリーク電流が該第1抵抗を流れることで該第1抵抗の両端に発生する電圧をモニタする工程と、試験時間の経過に伴い該第1抵抗の両端の電圧が増加して閾値を超えると、該第1抵抗を該第1抵抗よりも抵抗値が小さい第2抵抗に交換する工程と、該第2抵抗と該半導体装置が形成する直列回路の両端に電圧を印加した状態で、該第2抵抗の両端に発生する電圧をモニタする工程と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1抵抗と半導体装置とを直列に接続する工程と、 前記第1抵抗と前記半導体装置が形成する直列回路の両端に電圧を印加した状態で、前記半導体装置のリーク電流が前記第1抵抗を流れることで前記第1抵抗の両端に発生する電圧をモニタする工程と、 試験時間の経過に伴い前記第1抵抗の両端の電圧が増加して閾値を超えると、前記第1抵抗を前記第1抵抗よりも抵抗値が小さい第2抵抗に交換する工程と、 前記第2抵抗と前記半導体装置が形成する直列回路の両端に電圧を印加した状態で、前記第2抵抗の両端に発生する電圧をモニタする工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の試験方法。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (2件)：

G01R31/26 A ,  G01R31/26 H

Fターム (6件)：

2G003AA01 ,  2G003AB05 ,  2G003AD02 ,  2G003AD07 ,  2G003AH05 ,  2G003AH07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体試験装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-138076   出願人：横河電機株式会社
• 信頼性試験装置及び信頼性試験方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-267373   出願人：キヤノン株式会社