ギャップ充填方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-213372
公開番号（公開出願番号）：特開2019-091038
出願日： 2018年11月14日
公開日（公表日）： 2019年06月13日
要約：

【課題】スピンコーティングに通常使用される有機溶媒に十分に可溶性であり、ボイドなしにギャップを充填し、アウトガスを出さない、および400°Cを超える処理温度で安定した硬化膜を形成する、有機ギャップ充填材料の提供。【解決手段】基板表面に充填されるべき複数のギャップを有するレリーフ像を有する半導体デバイス基板に、(i)2つ以上のシクロペンタジエノン部分を有する1つ以上の第1のモノマーと、芳香族部分および2つ以上のアルキニル部分を有する1つ以上の第2のモノマーとを重合単位として含む、ポリアリーレンオリゴマーと、(ii)1種以上の有機溶媒と、を含む、コーティング層を提供することと、コーティング層を硬化させてポリアリーレン膜を形成することと、ポリアリーレン膜にパターン形成することと、そのパターンを半導体デバイス基板に転写することと、を含む、方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(a)基板表面に充填されるべき複数のギャップを有するレリーフ像を有する半導体デバイス基板を提供することと、(b)前記レリーフ像にコーティング組成物を塗布し、前記ギャップを充填してコーティング層を提供することであって、前記コーティング組成物は、(i)2つ以上のシクロペンタジエノン部分を有する1つ以上の第1のモノマーと、芳香族部分および2つ以上のアルキニル部分を有する1つ以上の第2のモノマーとを重合単位として含む、ポリアリーレンオリゴマーであって、1000〜6000DaのMw、1〜2のPDI、および1:>1の全第1のモノマー対全第2のモノマーのモル比を有する、ポリアリーレンオリゴマーと、(ii)1種以上の有機溶媒と、を含む、コーティング層を提供することと、(c)前記コーティング層を硬化させてポリアリーレン膜を形成することと、(d)前記ポリアリーレン膜上に無機ハードマスク層を配置することと、(e)前記無機ハードマスク層上にフォトレジスト層を配置することと、(f)前記フォトレジスト層にパターン形成することと、(g)前記パターンを前記フォトレジスト層から前記ポリアリーレン膜に転写することと、(h)次に、前記パターンを前記半導体デバイス基板に転写することと、を含む、方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 , C08G 61/12 , C08L 65/00 , G03F 7/26 , G03F 7/20

FI (6件)：

G03F7/11 503 , C08G61/12 , C08L65/00 , G03F7/26 511 , G03F7/20 501 , G03F7/20 521

Fターム (24件)：

2H196AA25 , 2H196CA05 , 2H196CA14 , 2H196KA19 , 2H197CE01 , 2H197CE10 , 2H197HA03 , 2H197JA12 , 2H225AM11N , 2H225AN38N , 2H225AN39N , 2H225BA01N , 2H225CA12 , 4J002CE001 , 4J002GH01 , 4J002HA05 , 4J032CA04 , 4J032CA25 , 4J032CA52 , 4J032CB01 , 4J032CB12 , 4J032CC02 , 4J032CE22 , 4J032CG06

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