光検出素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 柴山健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-091631
公開番号（公開出願番号）：特開2019-197834
出願日： 2018年05月10日
公開日（公表日）： 2019年11月14日
要約：

【課題】安価で高感度な光検出素子を提供する。【解決手段】光検出素子1は、第1面2sを有する半導体部2と、第1面2s上に設けられ、半導体部2との間にショットキー接合を形成する接合体10と、を備えている。第1面2sは、ショットキー接合が形成された接合エリアA1と、金属との接合が形成されていない非接合エリアA2と、を含む。接合体10は、ショットキー接合を形成する第1金属層11と、第1金属層11上に積層された誘電体層12と、誘電体層12上に積層された第2金属層13と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1面を有する半導体部と、前記第1面上に設けられ、前記半導体部との間にショットキー接合を形成する接合体と、を備える光検出素子であって、前記第1面は、前記ショットキー接合が形成された接合エリアと、金属との接合が形成されていない非接合エリアと、を含み、前記接合体は、前記ショットキー接合を形成する第1金属層と、前記第1金属層上に積層された誘電体層と、前記誘電体層上に積層された第2金属層と、を有する、光検出素子。

IPC (1件)：

H01L 31/108

FI (1件)：

H01L31/10 C

Fターム (15件)：

5F849AA05 , 5F849BA01 , 5F849BA18 , 5F849CB05 , 5F849CB06 , 5F849FA01 , 5F849FA05 , 5F849FA12 , 5F849FA13 , 5F849GA04 , 5F849HA03 , 5F849HA15 , 5F849LA01 , 5F849XB04 , 5F849XB39

引用特許：

審査官引用 (5件)

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公報種別：公開公報出願番号：特願2013-259984 出願人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
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公報種別：公開公報出願番号：特願2006-230570 出願人：キヤノン株式会社

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