特許
J-GLOBAL ID:201903004599561755
プラズマCVD装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人平木国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-040980
公開番号(公開出願番号):特開2019-157150
出願日: 2018年03月07日
公開日(公表日): 2019年09月19日
要約:
【課題】電極をクリーニングする際の熱変形を低減し、成膜時の異常放電を防止することができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】プラズマCVD装置1は、導体部11と、電極12と、電極12の異なる位置の温度を測定する2つの温度センサ51、52と、電極12と導体部11またはワークWとの間に印加する電圧を制御する制御装置60とを備える。制御装置60は、ワークWに前記炭素皮膜を成膜する処理が完了するごとにクリーニング制御を行うものであり、2つの温度センサ51、52により測定された温度差が、所定の温度差以上となったときに、次回のクリーニング制御において印加する電圧値を、前回のクリーニング制御において印加した電圧値よりも下げて、電極12に付着した炭素皮膜C2を除去する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
成膜室内に成膜用の炭化水素系ガスを導入し、導体部に設置されたワークを陽極として、前記ワークに対向して配置された電極を陰極とし、前記ワークと前記電極との間に電圧を印加して、前記炭化水素系ガスをプラズマ化し、炭化水素系ガス由来の炭素皮膜をワークに成膜するプラズマCVD装置であって、
前記プラズマCVD装置は、
前記導体部と、
前記電極と、
前記電極の異なる位置の温度を測定する2つの温度センサと、
前記電極と、前記導体部または前記ワークと、の間に印加する電圧を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記ワークに前記炭素皮膜を成膜する処理が完了するごとに、前記導体部から前記ワークを取り外し、前記成膜室内に不活性ガスを導入し、前記導体部を陰極とし、前記電極を陽極として、前記導体部と前記電極との間に電圧を印加することにより、前記不活性ガスをプラズマ化して、前記電極に付着した炭素皮膜を除去するクリーニング制御を行うものであり、
前記制御装置は、前記2つの温度センサにより測定された温度差が、所定の温度差以上となったときに、次回のクリーニング制御において印加する電圧値を、前回のクリーニング制御において印加した電圧値よりも下げて、前記電極に付着した炭素皮膜を除去することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (5件):
C23C 16/44
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, C01B 32/05
, H01L 21/31
FI (5件):
C23C16/44 J
, C23C16/26
, C23C16/50
, C01B32/05
, H01L21/31 C
Fターム (55件):
2G084AA03
, 2G084AA05
, 2G084BB07
, 2G084BB31
, 2G084CC02
, 2G084CC33
, 2G084DD15
, 2G084HH05
, 2G084HH20
, 2G084HH22
, 2G084HH33
, 2G084HH45
, 2G084HH53
, 4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AC20B
, 4G146AD22
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC31B
, 4G146BC32B
, 4G146DA03
, 4G146DA16
, 4G146DA33
, 4G146DA50
, 4K030AA09
, 4K030AA16
, 4K030BA27
, 4K030CA02
, 4K030CA17
, 4K030DA03
, 4K030DA04
, 4K030DA06
, 4K030DA08
, 4K030EA03
, 4K030FA01
, 4K030GA02
, 4K030GA12
, 4K030HA08
, 4K030JA10
, 4K030JA15
, 4K030JA17
, 4K030KA14
, 4K030KA18
, 4K030KA34
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 5F045AA08
, 5F045AB07
, 5F045AC07
, 5F045AF10
, 5F045EB06
, 5F045EH09
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