特許
J-GLOBAL ID:201903004866816075
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-172243
公開番号(公開出願番号):特開2019-069937
出願日: 2018年09月14日
公開日(公表日): 2019年05月09日
要約:
【課題】ラインエッジラフネス(LER)が低減されたレジストパターンを製造できる塩及び該塩を含有するレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[Q1及びQ2は、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。R1及びR2は、互いに独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。zは、0〜6の整数を表す。L1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜36の2価の炭化水素基等を表す。W1は、置換基を有していてもよい炭素数3〜18の炭化水素環等を表す。L2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基等を表す。R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の炭化水素基等を表す。Z+は、有機カチオンを表す。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(I)で表される塩。
IPC (6件):
C07F 7/18
, C07C 381/12
, C09K 3/00
, G03F 7/004
, G03F 7/039
, G03F 7/20
FI (8件):
C07F7/18 Q
, C07C381/12
, C09K3/00 K
, G03F7/004 503A
, G03F7/004 501
, G03F7/039 601
, G03F7/20 501
, G03F7/20 521
Fターム (54件):
2H197AA12
, 2H197CA01
, 2H197CA06
, 2H197CA08
, 2H197CA09
, 2H197CA10
, 2H197CE01
, 2H197CE10
, 2H197GA01
, 2H197HA03
, 2H197JA22
, 2H225AF11P
, 2H225AF16P
, 2H225AF22P
, 2H225AF24P
, 2H225AF53P
, 2H225AF54P
, 2H225AF56P
, 2H225AF66P
, 2H225AF67P
, 2H225AF68P
, 2H225AF69P
, 2H225AF71P
, 2H225AF91P
, 2H225AH17
, 2H225AH19
, 2H225AJ13
, 2H225AJ54
, 2H225AJ59
, 2H225AM22P
, 2H225AM99P
, 2H225AN38P
, 2H225AN39P
, 2H225BA01P
, 2H225BA26P
, 2H225BA30P
, 2H225CA12
, 2H225CB10
, 2H225CC03
, 2H225CC15
, 4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB92
, 4H006TN10
, 4H006TN60
, 4H006TN90
, 4H049VN01
, 4H049VP01
, 4H049VQ54
, 4H049VR23
, 4H049VR41
, 4H049VU29
, 4H049VW01
, 4H049VW02
前のページに戻る