特許
J-GLOBAL ID:201903004866816075

塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-172243
公開番号(公開出願番号):特開2019-069937
出願日: 2018年09月14日
公開日(公表日): 2019年05月09日
要約:
【課題】ラインエッジラフネス(LER)が低減されたレジストパターンを製造できる塩及び該塩を含有するレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[Q1及びQ2は、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。R1及びR2は、互いに独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。zは、0〜6の整数を表す。L1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜36の2価の炭化水素基等を表す。W1は、置換基を有していてもよい炭素数3〜18の炭化水素環等を表す。L2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基等を表す。R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の炭化水素基等を表す。Z+は、有機カチオンを表す。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(I)で表される塩。
IPC (6件):
C07F 7/18 ,  C07C 381/12 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/20
FI (8件):
C07F7/18 Q ,  C07C381/12 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/20 521
Fターム (54件):
2H197AA12 ,  2H197CA01 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H197JA22 ,  2H225AF11P ,  2H225AF16P ,  2H225AF22P ,  2H225AF24P ,  2H225AF53P ,  2H225AF54P ,  2H225AF56P ,  2H225AF66P ,  2H225AF67P ,  2H225AF68P ,  2H225AF69P ,  2H225AF71P ,  2H225AF91P ,  2H225AH17 ,  2H225AH19 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ54 ,  2H225AJ59 ,  2H225AM22P ,  2H225AM99P ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225BA01P ,  2H225BA26P ,  2H225BA30P ,  2H225CA12 ,  2H225CB10 ,  2H225CC03 ,  2H225CC15 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4H006TN10 ,  4H006TN60 ,  4H006TN90 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ54 ,  4H049VR23 ,  4H049VR41 ,  4H049VU29 ,  4H049VW01 ,  4H049VW02

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