特許

J-GLOBAL ID：201903004911636326

半導体装置

発明者： 中川 和之 ,  寺島 克司 ,  土屋 恵太 ,  佐藤 嘉昭 ,  内田 浩享 ,  萱島 祐治 ,  仮屋崎 修一 ,  馬場 伸治
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-566468
特許番号：特許第6450864号
出願日： 2016年02月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1半導体部品と、 第2半導体部品と、 前記第1半導体部品および前記第2半導体部品のそれぞれが搭載された配線基板と、 前記第1半導体部品と前記第2半導体部品とを電気的に接続する複数の配線経路を備える第1配線部材と、 を有し、 前記第1半導体部品は、外部との間で第1信号を伝送する第1端子、および前記第2半導体部品との間で第2信号を伝送する第2端子が配置された第1主面を備え、 前記第2半導体部品は、前記第1半導体部品との間で前記第2信号を伝送する第3端子が配置された第2主面を備え、 前記第1信号は前記第2信号より高い周波数で伝送され、 前記第1半導体部品の前記第1端子は、前記第1配線部材を介さず、かつ、第1バンプ電極を介して前記配線基板と電気的に接続され、 前記第1半導体部品の前記第2端子と前記第2半導体部品の前記第3端子は、前記第1配線部材を介して電気的に接続されている、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 25/00 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 25/08 H ,  H01L 25/00 A ,  H01L 23/12 501 C