特許

J-GLOBAL ID：201903005185862377

圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体

発明者： 松澤 勇介
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-003829
公開番号（公開出願番号）：特開2019-124500
出願日： 2018年01月12日
公開日（公表日）： 2019年07月25日
要約：

【課題】残留応力を低減し、優れた圧力検出特性を有する圧力センサー、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、前記基板の一方の面側に接続され、前記基板の平面視で前記ダイアフラムを囲むように配置されている側壁部と、前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有する。また、前記封止層は、シリコンを含む第1層と、前記第1層よりも前記ダイアフラム側に位置し、アルミニウムを含む第2層と、前記第2層よりも前記ダイアフラム側に位置する第3層と、を有し、前記封止層の中央部は、前記第1層から形成され、前記封止層の縁部は、前記第1層、前記第2層および前記第3層から形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、 前記基板の一方の面側に接続され、前記基板の平面視で前記ダイアフラムを囲むように配置されている側壁部と、 前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、 前記封止層は、シリコンを含む第1層と、 前記第1層よりも前記ダイアフラム側に位置し、アルミニウムを含む第2層と、 前記第2層よりも前記ダイアフラム側に位置する第3層と、を有し、 前記封止層の中央部は、前記第1層から形成され、 前記封止層の縁部は、前記第1層、前記第2層および前記第3層から形成されていることを特徴とする圧力センサー。

IPC (2件)：

G01L 9/00 ,  H01L 29/84

FI (4件)：

G01L9/00 303A ,  G01L9/00 303L ,  H01L29/84 B ,  H01L29/84 A

Fターム (48件)：

2F055AA01 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055EE25 ,  2F055FF01 ,  2F055FF23 ,  2F055FF34 ,  2F055GG01 ,  2F055GG13 ,  2F055GG15 ,  2F055GG16 ,  2F055GG25 ,  2F055GG32 ,  2F055GG44 ,  2F055HH11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA09 ,  4M112CA12 ,  4M112CA13 ,  4M112CA14 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA07 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA08 ,  4M112EA09 ,  4M112EA10 ,  4M112EA11 ,  4M112EA12 ,  4M112EA14 ,  4M112EA18 ,  4M112FA01 ,  4M112GA01 ,  4M112GA03