特許

J-GLOBAL ID：201903005390760285

シリコンウエハの評価方法及びそのエッチング液

発明者： 斉藤 久之
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (2件)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-092469
公開番号（公開出願番号）：特開2019-197870
出願日： 2018年05月11日
公開日（公表日）： 2019年11月14日
要約：

【課題】 Crを含まない選択エッチング用エッチング液を用いて(111)ウエハのFPD判定を行う方法、及び、Crを含まず、かつ(111)ウエハの結晶欠陥判定が可能な選択エッチング用エッチング液を提供する。【解決手段】 主面の面方位が(111)のシリコン単結晶ウエハの評価方法であって、HFが50wt%、HNO3が61wt%、CH3COOHが99.7wt%のときに、HF:HNO3:CH3COOH:H2O=400:1〜2(ただし2を除く):10〜50:80〜120の容量比で配合した成分組成比を有するエッチング液を用いて、主面の面方位が(111)のシリコン単結晶ウエハをエッチングすることにより、FPDを評価することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの評価方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面の面方位が(111)のシリコン単結晶ウエハの評価方法であって、 HFが50wt%、HNO3が61wt%、CH3COOHが99.7wt%のときに、HF:HNO3:CH3COOH:H2O=400:1〜2(ただし2を除く):10〜50:80〜120の容量比で配合した成分組成比を有するエッチング液を用いて、主面の面方位が(111)のシリコン単結晶ウエハをエッチングすることにより、FPDを評価することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L21/66 N ,  H01L21/308 B

Fターム (6件)：

4M106BA05 ,  4M106CB19 ,  4M106DH50 ,  4M106DH55 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02