特許

J-GLOBAL ID：201903005459642697

SiC単結晶の製造方法

発明者： 大黒 寛典 ,  秋田 光俊 ,  吉川 健
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  鶴田 準一 ,  伊藤 公一 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-224647
公開番号（公開出願番号）：特開2019-094228
出願日： 2017年11月22日
公開日（公表日）： 2019年06月20日
要約：

【課題】多結晶の混入を抑制してSiC単結晶を成長させることができる溶液法によるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液にSiC種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、前記Si-C溶液が、Siと、Crと、Mo及びWのうち少なくとも一種とを含み、前記Mo及びWが合計で、前記Si-C溶液を構成する溶媒の合計量を基準として、0.5〜10.0at%含まれるSi-C溶液を用いることを含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液にSiC種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、 前記Si-C溶液が、Siと、Crと、Mo及びWのうち少なくとも一種とを含み、 前記Mo及びWが合計で、前記Si-C溶液を構成する溶媒の合計量を基準として、0.5〜10.0at%含まれるSi-C溶液を用いることを含む、 SiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 11/06

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B11/06

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CD04 ,  4G077EC08 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077MB08