半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-229558
公開番号（公開出願番号）：特開2019-083319
出願日： 2018年12月07日
公開日（公表日）： 2019年05月30日
要約：

【課題】開口率が高く、消費電力の低い半導体装置またはその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジスタ130Aを有する駆動回路を有する。第1の薄膜トランジスタは、ゲート電極層とゲート絶縁層と半導体層とソース電極層及びドレイン電極層を有し、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層は透光性を有する。第2の薄膜トランジスタのゲート電極層107aは、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層と材料が異なり、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層よりも低抵抗の導電層を有し、第2の薄膜トランジスタのソース電極層119a及びドレイン電極層119bは、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電層を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、前記ゲート電極層上の、ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の、半導体層と、前記半導体層と電気的に接続された、ソース電極層と、前記半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の、絶縁層と、を有し、前記ゲート電極層は、第1の導電層と、前記第1の導電層上の第2の導電層とを有し、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層はそれぞれ、第3の導電層と、前記第3の導電層上の第4の導電層とを有し、前記第1の導電層が有する導電性材料は、前記第3の導電層が有する導電性材料と同一であり、前記第2の導電層が有する導電性材料は、前記第4の導電層が有する導電性材料と同一であり、前記絶縁層は、前記第4の導電層の側面、及び前記第3の導電層の上面に接する領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/45 , H01L 29/43 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H01L 27/32 , G09F 9/30

FI (15件)：

H01L29/78 617L , H01L29/78 616U , H01L29/78 619A , H01L29/78 616V , H01L29/78 617S , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L29/54 , H01L29/62 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H01L27/32 , G09F9/30 338 , H01L29/78 617M

Fターム (124件)：

2H192AA24 , 2H192BA25 , 2H192BC24 , 2H192BC31 , 2H192CB05 , 2H192CB08 , 2H192CC24 , 2H192CC64 , 2H192DA12 , 2H192DA42 , 2H192EA04 , 2H192FA65 , 2H192FA73 , 2H192FB02 , 2H192FB15 , 2H192FB33 , 2H192GD61 , 2H192HA44 , 2H192JA13 , 3K107AA01 , 3K107AA07 , 3K107AA08 , 3K107AA09 , 3K107BB01 , 3K107CC14 , 3K107CC33 , 3K107CC35 , 3K107CC36 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF15 , 3K107HH05 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5C094AA05 , 5C094AA13 , 5C094AA22 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094EA10 , 5C094FB12 , 5C094HA08 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110EE24 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG35 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HM02 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体素子の接触部及びその製造方法並びに表示装置用薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-309757 出願人：三星電子株式会社
液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-291584 出願人：エルジーフィリップスエルシーディーカンパニーリミテッド
薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-163509 出願人：三星電子株式会社

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