特許

J-GLOBAL ID：201903005780763927

金属酸化物膜及び半導体装置

発明者： 高橋 正弘 ,  廣橋 拓也 ,  津吹 将志 ,  太田 将志
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-156015
公開番号（公開出願番号）：特開2018-197399
特許番号：特許第6553266号
出願日： 2018年08月23日
公開日（公表日）： 2018年12月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の結晶領域と、第2の結晶領域と、を有する金属酸化物膜であって、 前記金属酸化物膜のHAADF-STEM像において、 前記第1の結晶領域は、第1の層と、第2の層と、前記第1の層と前記第2の層の間の第1の領域を有し、 前記第2の結晶領域は、第3の層と、第4の層と、前記第3の層と前記第4の層の間の第2の領域を有し、 前記第1の領域は、n(nは2以上の自然数)層の原子の配列を有し、 前記第2の領域は、m(mは2以上の自然数であり、かつn以外の自然数)層の原子の配列を有し、 前記第1の層が含む原子の輝度及び前記第2の層が含む原子の輝度は、前記第1の領域が含む原子の輝度より大きく、 前記第3の層が含む原子の輝度及び前記第4の層が含む原子の輝度は、前記第2の領域が含む原子の輝度より大きい、ことを特徴とする金属酸化物膜。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 14/08 K ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/78 618 B