特許
J-GLOBAL ID：201903006088213646
集積回路用低周波数信号発生回路素子
出願人/特許権者：
国立大学法人名古屋大学
国立大学法人名古屋大学 について
代理人 (2件)： 池田 治幸 , 池田 光治郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-074251
公開番号（公開出願番号）：特開2019-186711
出願日： 2018年04月06日
公開日（公表日）： 2019年10月24日
要約：
【課題】一層の小面積、低周波数、且つ低消費電力の集積回路用低周波数信号発生回路素子を提供する。【解決手段】ヒステリシスコンパレータHは、第1リーク電流発生素子IL1の第1リーク電流Ileak1と第2リーク電流発生素子IL2の第2リーク電流Ileak2との差電流ΔIleakにより充電されるコンデンサCpropの充電電圧が第1閾値に到達することに基づいて第1リーク電流発生素子IL1の電源電圧を遮断し、コンデンサCpropの充電電圧が第1閾値よりも低い第2閾値へ低下すると第1リーク電流発生素子IL1に電圧を供給する。これにより、一層微弱な差電流ΔIleakにより、コンデンサCpropが充電されるので、コンデンサCpropの容量を小さくでき、一層の小面積、低周波数、且つ低消費電力の特性を有する集積回路用低周波数信号発生回路素子SGpropが得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
集積回路が形成される半導体基板上に設けられて低周波数信号を発生させる集積回路用低周波数信号発生回路素子であって、
微弱な第1リーク電流を発生する第1リーク電流発生素子と、
前記第1リーク電流発生素子と直列に接続され、微弱な第2リーク電流を発生する第2リーク電流発生素子と、
前記第1リーク電流発生素子と前記第2リーク電流発生素子との接続点から得られる前記第1リーク電流発生素子の第1リーク電流と前記第2リーク電流発生素子の第2リーク電流との差電流により充電されるコンデンサと、
前記コンデンサの充電電圧が第1閾値に到達することに基づいて前記第1リーク電流発生素子に印加されていた電圧を遮断し、前記コンデンサの充電電圧が前記第1閾値よりも低い第2閾値へ低下すると前記第1リーク電流発生素子に電圧を印加するヒステリシスコンパレータとを、含む
ことを特徴とする集積回路用低周波数信号発生回路素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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発振回路及び赤外線受信装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願2005-298108 出願人：シャープ株式会社 -
特許第6172573号
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発振回路
公報種別：公開公報 出願番号：特願2016-028213 出願人：株式会社東芝
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