特許
J-GLOBAL ID：201903006092368620
素子チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人河崎・橋本特許事務所
, 河崎 眞一
, 津村 祐子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-048006
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163073
特許番号：特許第6604476号
出願日： 2016年03月11日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1主面および第2主面を備え、半導体層である第1層と、前記第1層の前記第1主面側に形成された絶縁膜を含む第2層と、を備える基板であって、複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域を備える基板を準備する工程と、
前記分割領域に前記第1主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に前記第1層が露出する露出部を備える開口を形成するレーザスクライブ工程と、
前記レーザスクライブ工程の後、前記素子領域および前記分割領域に保護膜を堆積させる保護膜堆積工程と、
前記保護膜堆積工程の後、前記基板を第1プラズマに晒すことにより前記保護膜を異方的にエッチングして、前記分割領域に堆積した前記保護膜の一部および前記素子領域に堆積した前記保護膜を除去するとともに、前記素子領域の端面を覆う前記保護膜を残存させる、保護膜エッチング工程と、
前記保護膜エッチング工程の後、前記基板を第2プラズマに晒すことにより前記分割領域を等方的にエッチングする等方エッチング工程と、
前記等方エッチング工程の後、前記第2主面を支持部材で支持した状態で前記基板を第3プラズマに晒すことにより、前記分割領域を異方的にエッチングして、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備える、素子チップの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, B23K 26/351 ( 201 4.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/78 Q
, H01L 21/302 105 A
, H01L 21/78 B
, H01L 21/78 S
, B23K 26/351
, H05H 1/46 L
