特許

J-GLOBAL ID：201903006367389401

センサ基板の製造方法

発明者： 管野 天 ,  柳川 博人
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (3件)： 新居 広守 ,  寺谷 英作 ,  道坂 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-101010
公開番号（公開出願番号）：特開2019-203187
出願日： 2018年05月25日
公開日（公表日）： 2019年11月28日
要約：

【課題】センサ基板内のプラズモン特性を均一化することができ、かつ低濃度の被検出物質を高感度に検出することができるセンサ基板の製造方法を提供する。【解決手段】センサ基板の製造方法は、励起光が照射されることによって表面プラズモンを生じさせる金属微細構造体2021を備えるセンサ基板202bの製造方法であって、主面上に複数の突起部2022aを有する基板を準備する準備工程(S10)と、主面上に金属膜2023を形成することで金属微細構造体2021を作製する成膜工程(S20及びS30)とを含む。そして、成膜工程は、主面上に蒸着法により第一の金属膜2024を形成する第一の成膜工程(S20)と、第一の金属膜2024上にスパッタ法により第二の金属膜2025を形成する第二の成膜工程(S30)とを含む。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

励起光が照射されることによって表面プラズモンを生じさせる金属微細構造体を備えるセンサ基板の製造方法であって、 主面上に複数の突起部を有する基板を準備する準備工程と、 前記主面上に金属膜を形成することで前記金属微細構造体を作製する成膜工程とを含み、 前記成膜工程は、 前記主面上に蒸着法により第一の金属膜を形成する第一の成膜工程と、 前記第一の金属膜上にスパッタ法により第二の金属膜を形成する第二の成膜工程とを含む、 センサ基板の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/14 ,  G01N 21/64 ,  G01N 21/65 ,  C23C 14/22

FI (4件)：

C23C14/14 G ,  G01N21/64 G ,  G01N21/65 ,  C23C14/22 C

Fターム (42件)：

2G043AA01 ,  2G043BA17 ,  2G043DA05 ,  2G043DA06 ,  2G043EA01 ,  2G043EA03 ,  2G043FA03 ,  2G043GA06 ,  2G043GA07 ,  2G043GA08 ,  2G043GA28 ,  2G043GB21 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043HA09 ,  2G043JA02 ,  2G043JA03 ,  2G043JA04 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043NA01 ,  2G059AA01 ,  2G059EE03 ,  2G059EE07 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA29 ,  4K029BA03 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA08 ,  4K029BB02 ,  4K029DB18 ,  4K029DB21 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA02 ,  4K029EA08