特許

J-GLOBAL ID：201903006380356130

撮像装置及びその製造方法

発明者： 矢島 孝博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (4件)： 岡部 讓 ,  越智 隆夫 ,  吉澤 弘司 ,  齋藤 正巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-096197
公開番号（公開出願番号）：特開2019-201171
出願日： 2018年05月18日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
要約：

【課題】基板を接合する際のアライメントずれの影響を抑制しうる撮像装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の第1の半導体層と第2導電型の第2の半導体層とを含む光電変換層を有し、光電変換層に複数の光電変換部が設けられた第1の基板と、第1の基板に接合され、複数の光電変換部が検出した情報に基づく信号を出力する読み出し回路が設けられた第2の基板と、第2の基板と、第1の半導体層及び前記第2の半導体層のうちの少なくとも一方と、を貫通するように設けられた第1の開口部によって規定される素子分離部と、を有し、複数の光電変換部の各々は、前記素子分離部によって互いに分離されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と第2導電型の第2の半導体層とを含む光電変換層を有し、前記光電変換層に複数の光電変換部が設けられた第1の基板と、 前記第1の基板に接合され、前記複数の光電変換部が検出した情報に基づく信号を出力する読み出し回路が設けられた第2の基板と、 前記第2の基板と、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層のうちの少なくとも一方と、を貫通するように設けられた第1の開口部によって規定される素子分離部と、を有し、 前記複数の光電変換部の各々は、前記素子分離部によって互いに分離されている ことを特徴とする撮像装置。

IPC (7件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/369 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (6件)：

H01L27/146 F ,  H04N5/369 ,  H01L27/146 D ,  H01L21/76 L ,  H01L21/02 B ,  H01L21/88 J

Fターム (71件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA23 ,  4M118CB01 ,  4M118CB03 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5C024AX06 ,  5C024CY47 ,  5C024EX12 ,  5C024GX07 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA54 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032BA02 ,  5F032BA03 ,  5F032BB08 ,  5F032CA05 ,  5F032CA06 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032CA21 ,  5F032DA01 ,  5F032DA04 ,  5F032DA07 ,  5F032DA23 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA71 ,  5F033GG02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK01 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT07