特許

J-GLOBAL ID：201903006434579504

磁歪材料およびそれを用いた磁歪式デバイス

発明者： 酒井 一樹 ,  田中 武拓 ,  桑原 涼 ,  中村 太一
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (2件)： 松谷 道子 ,  吉田 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-058313
公開番号（公開出願番号）：特開2019-169672
出願日： 2018年03月26日
公開日（公表日）： 2019年10月03日
要約：

【課題】大きい磁歪量を示し、かつ機械的強度に優れた磁歪材料を提供する。【解決手段】下記式(1) Fe(100-x-y)GaxCuy・・・(1) (式(1)中、xおよびyは、それぞれGa含有率(at%)およびCu含有率(at%)であり、y≦-0.8x+17、y≧-0.375x+8.5かつy≦1/3を満たす) 磁歪材料。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

下記式(1) Fe(100-x-y)GaxCuy・・・(1) (式(1)中、xおよびyは、それぞれGa含有率(at%)およびCu含有率(at%)であり、y≦-0.8x+17、y≧-0.375x+8.5かつy≦1/3を満たす) で表されるFeGaCu合金からなる、 磁歪材料。

IPC (2件)：

H01L 41/20 ,  C22C 38/00

FI (2件)：

H01L41/20 ,  C22C38/00 303Z