特許
J-GLOBAL ID：201903006435622160

III-V族化合物半導体装置の製造方法

発明者：
中井 栄治

中井 栄治 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾 ,  吉澤 憲治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-549994
特許番号：特許第6509455号
出願日： 2018年05月24日
要約：
【要約】 第1の温度(T1)に設定した反応炉(220)に、V族原料ガス(250d)と不純物原料ガス(250e)を供給して、アンドープのIII-V族化合物半導体層に不純物を添加する第1の工程と、前記不純物原料ガス(250e)の供給を止めて、前記反応炉(220)の温度を前記第1の温度(T1)よりも高い第2の温度(T2)まで昇温し、前記V族原料ガス(250d)の供給は続けて行う第2の工程と、を備えているIII-V族化合物半導体装置(100)の製造方法。
請求項（抜粋）：
【請求項1】400°Cから500°Cの範囲の温度である第1の温度、および100hPaから700hPaの範囲の圧力である第1の圧力に設定した反応炉に、V族原料ガスと不純物原料ガスを供給して、アンドープのIII-V族化合物半導体層に不純物を添加する第1の工程と、 前記不純物原料ガスの供給を止めて、前記反応炉の温度を前記第1の温度よりも高い第2の温度まで昇温するとともに、前記反応炉の圧力を前記第1の圧力よりも低く設定して、エッチングガスの供給を開始するとともに前記V族原料ガスの供給は続けて行う第2の工程と、 を備えているIII-V族化合物半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/223 ( 200 6.01) ,  H01L 21/22 ( 200 6.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/223 C ,  H01L 21/22 C ,  H01S 5/343
引用特許：
審査官引用 (8件)
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