特許

J-GLOBAL ID：201903006456294376

化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置

発明者： 竹内 有一 ,  秋葉 敦也 ,  鈴木 克己 ,  山下 侑佑
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-032291
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152488
特許番号：特許第6485382号
出願日： 2016年02月23日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 化合物半導体装置の製造方法であって、 化合物半導体にて構成される第1導電型の下地層(2、42)を有する半導体基板(1、2、41、42)を用意することと、 前記下地層に対してディープトレンチ(15、49)を形成することと、 エピタキシャル成長装置内に第1導電型ドーパントを含むドーパントガスと第2導電型ドーパントを含むドーパントガスおよび前記化合物半導体の原料ガスを導入し、前記ディープトレンチの底部から該ディープトレンチの開口入口に向かって第2導電型のディープ層(5、44)を形成するとともに、該ディープトレンチの側面に前記ディープ層の側面から前記下地層に伸びる空乏層を制限する第1導電型の制限層(7、45)をエピタキシャル成長させることで、前記ディープ層および前記制限層によって該ディープトレンチ内を埋め込むことと、を含み、 前記ディープトレンチを埋め込むことでは、前記化合物半導体のエピタキシャル成長における面方位依存性により、前記ディープトレンチの底部において第2導電型層の方が第1導電型層よりも優位にエピタキシャル成長させると共に前記ディープトレンチの側面において第1導電型層の方が第2導電型層よりも優位にエピタキシャル成長させることで、前記ディープトレンチの底部から該ディープトレンチの開口入口に向かって前記ディープ層を成長させると共に前記ディープトレンチの側面から前記制限層を成長させる化合物半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (12件)：

H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/06 301 D ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 R ,  H01L 21/20