特許
J-GLOBAL ID:201903006495374115

半導体装置製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人後藤特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-168832
公開番号(公開出願番号):特開2019-195035
出願日: 2018年09月10日
公開日(公表日): 2019年11月07日
要約:
【課題】半導体チップの焼結接合を経る半導体装置製造方法において、焼結接合用材料のロスを低減しつつ各半導体チップへの焼結接合用材料の供給を効率よく行うのに適した手法を提供する。【解決手段】本製造方法は、例えば、ダイシングテープT1上の半導体ウエハWから、複数の半導体チップ11を含む半導体ウエハ分割体10を形成する工程と、ダイシングテープT1上の半導体ウエハ分割体10に対して焼結接合用シート20を貼り合わせる工程と、焼結接合用シート20由来の焼結接合用材料層21を伴う半導体チップ11を例えばダイシングテープT1からピックアップする工程と、焼結接合用材料層付き半導体チップ11をその焼結接合用材料層21を介して基板に仮固定する工程と、仮固定された半導体チップ11と基板の間に介在する焼結接合用材料層21から加熱過程を経て焼結層を形成して当該半導体チップ11を基板に接合する工程とを含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ダイシングテープ上に保持された状態にある半導体ウエハから、複数の半導体チップを含む半導体ウエハ分割体を形成する分割工程と、 導電性金属含有の焼結性粒子およびバインダー成分を含む焼結接合用シートを、前記ダイシングテープ上の前記半導体ウエハ分割体に対して前記ダイシングテープとは反対の側から貼り合わせて、前記半導体チップのそれぞれへの、前記焼結接合用シート由来の焼結接合用材料層の転写を行う、貼合せ工程と、 前記半導体チップをこれに密着している焼結接合用材料層とともにピックアップして焼結接合用材料層付き半導体チップを得るピックアップ工程と、 前記焼結接合用材料層付き半導体チップをその焼結接合用材料層を介して基板に仮固定する工程と、 仮固定された前記半導体チップおよび前記基板の間に介在する焼結接合用材料層から、加熱過程を経て焼結層を形成して、当該半導体チップを前記基板に接合する工程と、を含む半導体装置製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/52 ,  H01L 21/301 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (4件):
H01L21/52 C ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 F ,  H01L25/04 C
Fターム (14件):
5F047AA17 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19 ,  5F047FA04 ,  5F047FA08 ,  5F063CA04 ,  5F063CB07 ,  5F063CB29 ,  5F063DD68 ,  5F063DD69 ,  5F063DD85 ,  5F063DD90
引用特許:
審査官引用 (6件)
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