特許

J-GLOBAL ID：201903006649903906

磁気メモリ装置及び磁気メモリ装置の書き込み方法

発明者： 藤森 健史
出願人/特許権者： 東芝メモリ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-044500
公開番号（公開出願番号）：特開2019-160365
出願日： 2018年03月12日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
要約：

【課題】 書き込み回路の規模を低減することが可能な磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】 実施形態に係る磁気メモリ装置は、可変の磁化方向を有する第1の磁性層と、固定された磁化方向を有する第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層との間の非磁性層とを含み、第1の磁性層の磁化方向が第2の磁性層の磁化方向に対して平行である第1の状態及び第1の磁性層の磁化方向が第2の磁性層の磁化方向に対して反平行である第2の状態の一方を設定可能な磁気抵抗効果素子MTJと、磁気抵抗効果素子に対して第1の状態及び第2の状態の一方の状態を設定するときには第1の電圧を磁気抵抗効果素子に印加し、磁気抵抗効果素子に対して第1の状態及び第2の状態の他方の状態を設定するときには第1の電圧と同一方向で且つ第1の電圧よりも大きい第2の電圧を磁気抵抗効果素子に印加する書き込み回路WRとを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

可変の磁化方向を有する第1の磁性層と、固定された磁化方向を有する第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた非磁性層とを含み、前記第1の磁性層の磁化方向が前記第2の磁性層の磁化方向に対して平行である第1の状態及び前記第1の磁性層の磁化方向が前記第2の磁性層の磁化方向に対して反平行である第2の状態の一方を設定可能な磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子に対して前記第1の状態及び前記第2の状態の一方の状態を設定するときには第1の電圧を前記磁気抵抗効果素子に印加し、前記磁気抵抗効果素子に対して前記第1の状態及び前記第2の状態の他方の状態を設定するときには前記第1の電圧と同一方向で且つ前記第1の電圧よりも大きい第2の電圧を前記磁気抵抗効果素子に印加する書き込み回路と、 を備えることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (5件)：

G11C 11/16 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C11/16 240 ,  H01L27/105 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (24件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF13 ,  4M119FF15 ,  4M119HH01 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092DA03