特許

J-GLOBAL ID：201903006731299413

半導体装置

発明者： 高橋 正弘 ,  秋元 健吾 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-112397
公開番号（公開出願番号）：特開2018-157223
特許番号：特許第6552682号
出願日： 2018年06月13日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のソース電極及びドレイン電極と、 前記ゲート絶縁膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の酸化物半導体膜と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、且つc軸配向した結晶領域を有し、 前記結晶領域は、前記酸化物半導体膜全体の組成とは異なる組成を有し、 前記結晶領域における亜鉛の組成は、前記酸化物半導体膜全体の亜鉛の組成よりも大きい半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H05B 33/14 A