特許

J-GLOBAL ID：201903006827575071

半導体装置

発明者： 肥塚 純一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-135783
公開番号（公開出願番号）：特開2018-186295
特許番号：特許第6553782号
出願日： 2018年07月19日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、を有し、 前記酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、 前記酸化物半導体層は、第1の酸化物半導体膜と、第2の酸化物半導体膜と、を有し、 前記第1の酸化物半導体膜は、前記第2の酸化物半導体膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、 前記第1の酸化物半導体膜は、c軸配向した結晶を有し、 前記第2の酸化物半導体膜は、c軸配向した結晶を有し、 前記第1の酸化物半導体膜のバンドギャップの値は、前記第2の酸化物半導体膜のバンドギャップの値よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 627 G