特許
J-GLOBAL ID：201903007039724534
不揮発性メモリ素子、不揮発性メモリおよび不揮発性メモリの制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-226685
公開番号（公開出願番号）：特開2019-012711
出願日： 2015年11月19日
公開日（公表日）： 2019年01月24日
要約：
【課題】消費電力の低い不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】電極層24,26を、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸(c軸)と垂直な方向からビスマスフェライト層22を挟むように配置して、ビスマスフェライト層22に接続する。電極層24,26との間に電圧を印加して、ビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向の電場をビスマスフェライト層22に印加することにより、データを書き込むことができ、消費電力の低い不揮発性メモリを提供することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層と、
前記ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向から前記ビスマスフェライト層を挟むように配置され、前記ビスマスフェライト層に接続された第1,第2電極層と、
を備える不揮発性メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/22
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, G11C11/22 501Z
, H01L27/10 441
, H01L45/00
, H01L49/00
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA17
, 5F083JA60
