特許
J-GLOBAL ID：201903007332188744

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
田島 純平

田島 純平 について

, 
彦坂 年輝

彦坂 年輝 について

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上杉 謙次郎

上杉 謙次郎 について

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蔵口 雅彦

蔵口 雅彦 について

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布上 真也

布上 真也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 原 拓実 ,  柘 周作 ,  今野 徹 ,  沼尾 吉照 ,  手塚 史展
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-175270
公開番号（公開出願番号）：特開2019-169696
出願日： 2018年09月19日
公開日（公表日）： 2019年10月03日
要約：
【課題】本発明が解決しようとする課題は、高耐圧で電流コラプスを抑制した半導体装置を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、第1の窒化物半導体層と、前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間にある第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層と前記第1の窒化物半導体層との間にあるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層と前記第1の窒化物半導体層との間にあり、前記第1の窒化物半導体層と接する第2の窒化物半導体層と、記第1の絶縁層と前記第2の窒化物半導体層との間にあり、前記第2の窒化物半導体層に電気的に接続されるソース電極と、前記ゲート絶縁層と前記第1の絶縁層との間にあるゲート電極と、前記第1の窒化物半導体層に設けられ、前記第1の窒化物半導体層と電気的に接続されるドレイン電極と、を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 第1の窒化物半導体層と、 前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間にある第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層と前記第1の窒化物半導体層との間にあるゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層と前記第1の窒化物半導体層との間にあり、前記第1の窒化物半導体層と接する第2の窒化物半導体層と、 記第1の絶縁層と前記第2の窒化物半導体層との間にあり、前記第2の窒化物半導体層に電気的に接続されるソース電極と、 前記ゲート絶縁層と前記第1の絶縁層との間にあるゲート電極と、 前記第1の窒化物半導体層に設けられ、前記第1の窒化物半導体層と電気的に接続されるドレイン電極と、 を備える半導体装置。
IPC (12件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (11件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 U ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 J ,  H01L21/90 D ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301V
Fターム (134件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD15 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG18 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ46 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC02 ,  5F102GC10 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ09 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F140AA04 ,  5F140AA06 ,  5F140AC23 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF20 ,  5F140BF43 ,  5F140BG30 ,  5F140BH05 ,  5F140BH08 ,  5F140BH25 ,  5F140BH26 ,  5F140BH30 ,  5F140BH39 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ29 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140CA02 ,  5F140CA10 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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