特許
J-GLOBAL ID：201903007416487542

スナバコンデンサ内蔵半導体パワーモジュール

発明者：
明渡 邦夫

明渡 邦夫 について

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矢次 健一

矢次 健一 について

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野田 浩司

野田 浩司 について

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田口 理恵

田口 理恵 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-070939
公開番号（公開出願番号）：特開2019-186983
出願日： 2018年04月02日
公開日（公表日）： 2019年10月24日
要約：
【課題】モジュール内の小さなスペースを有効に活用してモジュールの小型化を図るとともに、半導体スイッチング素子の50kHz以上の高周波スイッチング動作時においても、リンギングによるノイズを十分に低減することが可能な半導体パワーモジュールを提供する。【解決手段】半導体パワーモジュールは、配線層3と、配線層3上に配置されている周波数50kHz以上の高周波動作用半導体スイッチング素子2と、配線層3上に配置されている薄膜状スナバコンデンサ1と、を備える。半導体スイッチング素子2と、薄膜状スナバコンデンサ1と、が電気回路的に並列に接続されており、半導体スイッチング素子2と薄膜状スナバコンデンサ1との隙間の平均距離が10μm〜2mmである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
配線層と、前記配線層上に配置されている周波数50kHz以上の高周波動作用半導体スイッチング素子と、前記配線層上に配置されている薄膜状スナバコンデンサとを備えており、 前記半導体スイッチング素子と前記薄膜状スナバコンデンサとが電気回路的に並列に接続されており、 前記半導体スイッチング素子と前記薄膜状スナバコンデンサとの隙間の平均距離が10μm〜2mmである、 ことを特徴とするスナバコンデンサ内蔵半導体パワーモジュール。
IPC (3件)：
H02M 7/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H02M7/48 Z ,  H01L25/04 C
Fターム (9件)：
5H770AA05 ,  5H770AA21 ,  5H770JA10X ,  5H770JA11Z ,  5H770PA21 ,  5H770PA42 ,  5H770QA05 ,  5H770QA08 ,  5H770QA22
引用特許：
審査官引用 (7件)
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