特許
J-GLOBAL ID：201903007424390019

半導体装置

発明者：
松林 大介

松林 大介 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-222971
公開番号（公開出願番号）：特開2019-071424
出願日： 2018年11月29日
公開日（公表日）： 2019年05月09日
要約：
【課題】回路面積を小さくする。【解決手段】記憶データとしてデータを記憶するメモリセルと、出力信号線と、電圧が与えられる配線と、を具備し、メモリセルは、記憶データと検索データの比較演算を行い、演算結果に応じて導通状態又は非導通状態になる比較回路と、記憶データの書き込み及び保持を制御する電界効果トランジスタと、を備え、比較回路が導通状態のときに、出力信号線の電圧値が配線の電圧と同等の値になる記憶装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、 前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記チャネル形成領域の上方の領域を有し、 前記第1のトランジスタのソース電極は、前記酸化物半導体層の上方の領域を有し、 前記第1のトランジスタのドレイン電極は、前記酸化物半導体層の上方の領域を有し、 前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続されており、 前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方の下方の領域を有し、 前記酸化物半導体層は、前記チャネル形成領域と、第1の領域と、第2の領域と、を有し、 前記第1の領域は、前記第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と重なっており、 前記第2の領域は、前記第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と重なっており、 前記第1の領域は、前記チャネル形成領域よりも抵抗率が低く、 前記第2の領域は、前記チャネル形成領域よりも抵抗率が低い半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  G11C 15/04 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
H01L27/108 321 ,  G11C15/04 601W ,  G11C15/04 E ,  G11C15/04 601A ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B
Fターム (106件)：
5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD69 ,  5F083GA02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA19 ,  5F083ZA20 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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