特許

J-GLOBAL ID：201903007708632888

膜形成方法

発明者： 中筋 護
出願人/特許権者： 中筋 護
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-089056
公開番号（公開出願番号）：特開2019-196504
出願日： 2018年05月07日
公開日（公表日）： 2019年11月14日
要約：

【課題】従来のLangmuir limitを超える輝度を得る方法では、平行ビームを得るためのレンズを電子銃の下流に余分に設ける必要があり、既設の装置に改造無しでは代替は出来なかった。従来の高輝度電子銃:LaB6, ショットキーカソード電子銃、あるいはcold Field emissionでは電子銃室を高真空にする必要があった。またショットキーカソード電子銃、あるいはcold Field emissionではショットノイズが大きい問題があった。【解決手段】 低い仕事関数の材料をW-フィラメントに付着させ、低い温度で電子銃を動作させる。W-フィラメントに小さい曲率半径の突起を形成し、通常のカソード電流でカソード電流密度を大きくする事により高輝度を得る。凸形状のW面に強固に低い仕事関数の材料を付着させるため、金属を蒸着し、その金属の融点より高く、沸点より低い温度にW-フィラメントを加熱後酸化或いは窒化させる様にした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に金属を膜形成中あるいは反応性気体に曝す前に上記金属の融点よりも高く、沸点よりも低い温度に上記基盤の温度を上げ、その後に上記形成された金属膜を反応性気体に曝す事を特徴とする膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/50 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/06 ,  C23C 14/58

FI (4件)：

C23C14/50 E ,  H01J37/08 ,  H01J37/06 ,  C23C14/58 Z

Fターム (12件)：

4K029AA02 ,  4K029AA23 ,  4K029AA24 ,  4K029AA25 ,  4K029BA02 ,  4K029CA01 ,  4K029DA08 ,  4K029DB03 ,  4K029DB18 ,  4K029GA00 ,  5C030BB02 ,  5C030BB17