特許
J-GLOBAL ID:201903007832582937
フォトニック結晶光回路および発光装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-161646
公開番号(公開出願番号):特開2019-040046
出願日: 2017年08月24日
公開日(公表日): 2019年03月14日
要約:
【課題】異なる波長を有する複数の共振器を同時に励起させる。【解決手段】光源モジュール(4)は、シリコン基板(4a)に多数の空孔(4b)が形成されたフォトニック結晶構造体を備えている。フォトニック結晶構造体には、複数の微小共振器(41〜43)が設けられている。各微小共振器(41〜43)は、単一の励起光源から発されて基板(4a)に入射する入射光により同時に励起され、かつ異なる励起波長で共振する励起共振モードをそれぞれ有する。入射光は、前記複数の共振器に対する複数の異なる前記励起波長を連続的に含むスペクトルを有する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板に多数の空孔が形成されたフォトニック結晶構造体を備え、
前記フォトニック結晶構造体には複数の共振器が設けられており、
前記複数の共振器は、単一の励起光源から発されて前記基板に入射する入射光により同時に励起され、かつ異なる励起波長で共振する励起共振モードをそれぞれ有し、
前記入射光は、前記複数の共振器に対する複数の異なる前記励起波長を連続的に含むスペクトルを有することを特徴とするフォトニック結晶光回路。
IPC (5件):
G02B 6/122
, G02F 1/35
, G02B 6/12
, G02B 6/42
, H01S 5/10
FI (7件):
G02B6/122 301
, G02F1/35 501
, G02B6/12 331
, G02B6/12 301
, G02B6/42
, G02F1/35 502
, H01S5/10
Fターム (45件):
2H137AB08
, 2H137AB11
, 2H137AB16
, 2H137BA01
, 2H137BA32
, 2H137BA43
, 2H137BA53
, 2H137BB12
, 2H137BC02
, 2H137BC51
, 2H137DB08
, 2H137DB09
, 2H147AB03
, 2H147AB04
, 2H147AB15
, 2H147AB17
, 2H147AB20
, 2H147AB21
, 2H147BF03
, 2H147BF08
, 2H147BF13
, 2H147BF15
, 2H147BG01
, 2H147CA01
, 2H147CA08
, 2H147EA13A
, 2H147EA13B
, 2H147EA13C
, 2H147EA25B
, 2H147GA01
, 2K102AA15
, 2K102BA13
, 2K102BA18
, 2K102BB01
, 2K102BB02
, 2K102BC01
, 2K102CA00
, 2K102DA09
, 2K102DB01
, 2K102DC07
, 2K102EA25
, 2K102EB10
, 2K102EB16
, 2K102EB20
, 5F173AB90
引用特許:
審査官引用 (4件)
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光アクティブデバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-280754
出願人:三菱電機株式会社, 京都大学長
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光集積回路および光モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-009306
出願人:国立大学法人大阪大学
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発光素子モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-314129
出願人:住友電気工業株式会社
引用文献:
審査官引用 (1件)
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Raman shift and strain effect in high-Q photonic crystal silicon nanocavity
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