特許
J-GLOBAL ID：201903007908341659
回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-190651
公開番号（公開出願番号）：特開2019-016811
出願日： 2018年10月09日
公開日（公表日）： 2019年01月31日
要約：
【課題】絶縁層に支持体が付着した状態でデスミア処理を行う技術を使用して小径のビアホールを有する回路基板を製造するに際し、ビアホール開口部周囲に生じる粗度大領域の寸法を減じることができる技術を提供する。【解決手段】(A)プラスチックフィルム支持体と、該プラスチックフィルム支持体と接合する樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、(B)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程であって、該絶縁層とプラスチックフィルム支持体との密着強度が2〜18gf/cmである、工程、(C)プラスチックフィルム支持体上よりレーザーを照射して、絶縁層にトップ径40μm以下のビアホールを形成する工程、(D)デスミア処理を行う工程、(E)プラスチックフィルム支持体を剥離する工程、及び(F)絶縁層の表面に導体層を形成する工程をこの順序で含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)プラスチックフィルム支持体と、該プラスチックフィルム支持体と接合する樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程、
(B)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程であって、該絶縁層とプラスチックフィルム支持体との密着強度が2〜18gf/cmである、工程、
(C)プラスチックフィルム支持体上よりレーザーを照射して、絶縁層にトップ径40μm以下のビアホールを形成する工程、
(D)デスミア処理を行う工程、
(E)プラスチックフィルム支持体を剥離する工程、及び
(F)絶縁層の表面に導体層を形成する工程
をこの順序で含む、回路基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, C08L 63/00
, C08K 3/013
H05K3/46 B
, C08L63/00 C
, C08K3/013
4J002CC03X
, 4J002CD01W
, 4J002CD02W
, 4J002CD04W
, 4J002CD05W
, 4J002CD06W
, 4J002CD08W
, 4J002CD13W
, 4J002CD18W
, 4J002CM02X
, 4J002DE077
, 4J002DE137
, 4J002DE147
, 4J002DE187
, 4J002DE267
, 4J002DF017
, 4J002DJ007
, 4J002DJ017
, 4J002DJ037
, 4J002DJ047
, 4J002DJ057
, 4J002DK007
, 4J002DL007
, 4J002EF036
, 4J002EF076
, 4J002EF116
, 4J002EJ016
, 4J002EJ036
, 4J002EJ046
, 4J002ER006
, 4J002ET006
, 4J002FB097
, 4J002FD017
, 4J002FD146
, 4J002FD14X
, 4J002GQ00
, 5E316AA32
, 5E316AA43
, 5E316CC08
, 5E316CC09
, 5E316CC10
, 5E316CC12
, 5E316CC13
, 5E316CC32
, 5E316CC34
, 5E316CC37
, 5E316CC38
, 5E316CC39
, 5E316CC57
, 5E316CC58
, 5E316DD15
, 5E316DD16
, 5E316DD17
, 5E316DD22
, 5E316DD25
, 5E316DD33
, 5E316DD48
, 5E316EE33
, 5E316FF03
, 5E316FF15
, 5E316GG27
, 5E316HH25
, 5E316HH26
, 5E316HH31
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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