特許

J-GLOBAL ID：201903008009393661

窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法及び窒化物半導体紫外線発光素子

発明者： 平野 光 ,  長澤 陽祐 ,  一本松 正道
出願人/特許権者： 創光科学株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016078410
公開番号（公開出願番号）：WO2018-061080
出願日： 2016年09月27日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：

基板10と、当該基板10の主面101上に積層される複数の半導体層21を有するとともに通電することで光を出射する素子構造部20と、を備えるチップに対して、少なくとも、基板10における主面101とは反対側の面である裏面の四つの角が凸状の曲面になるように、基板10を研削加工する。これにより、レンズ面(凸状の曲面)102を有する基板10を得る。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、当該基板の主面上に積層される複数のAlGaN系半導体層を有するとともに通電することで発光中心波長が365nm以下の光を出射する素子構造部と、を備えるチップに対して、少なくとも、前記主面とは反対側の面である裏面の四つの角が凸状の曲面になるように、前記基板を研削加工する基板加工工程を備えることを特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/20 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/20 ,  H01L33/32

Fターム (9件)：

5F241AA03 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA13 ,  5F241CA40 ,  5F241CA76 ,  5F241CA77 ,  5F241CA93 ,  5F241CB15