特許

J-GLOBAL ID：201903008018033732

半導体装置およびその製造方法

発明者： 五十嵐 覚
出願人/特許権者： エイブリック株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-069013
公開番号（公開出願番号）：特開2019-179870
出願日： 2018年03月30日
公開日（公表日）： 2019年10月17日
要約：

【課題】フォトマスク数および工程数の増加を抑えつつ、ゲート絶縁膜にX線が照射されることを防止することが可能な構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上のチップ領域CRに設けられたゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁膜2上に設けられたゲート電極3と、ゲート電極3を覆うように設けられた層間絶縁膜4と、チップ領域CRにおいて層間絶縁膜4に設けられたコンタクトプラグ5と、層間絶縁膜4上においてゲート絶縁膜2と平面視で重なる領域に選択的に設けられコンタクトプラグ5と同一の材料で構成されたX線遮蔽膜101とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上のチップ領域に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、 前記チップ領域において、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトプラグと、 前記層間絶縁膜上において、前記ゲート絶縁膜と平面視で重なる領域に選択的に設けられ、前記コンタクトプラグと同一の材料で構成された第1のX線遮蔽膜とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L27/04 F ,  H01L29/78 301N

Fターム (10件)：

5F038BE07 ,  5F038CD18 ,  5F038DF09 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20 ,  5F140BE14 ,  5F140BF04 ,  5F140BJ27 ,  5F140CC02