特許
J-GLOBAL ID：201903008686843398
データ記憶装置およびデータ記憶方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-018020
公開番号（公開出願番号）：特開2019-135581
出願日： 2018年02月05日
公開日（公表日）： 2019年08月15日
要約：
【課題】メンテナンス性を向上させるデータ記憶装置およびデータ記憶方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係るデータ記憶装置は、第1モジュールと、不揮発性メモリと、第2モジュールとを備える。第1モジュールは、1つ以上設けられ、バックアップデータを生成する。不揮発性メモリは、バックアップデータを記憶する。第2モジュールは、第1モジュールからの通知に応じて値が変更される記憶領域を有し、記憶領域の値に基づいて不揮発性メモリにバックアップデータの書き込みを行う。第2モジュールは、第1モジュールから第1通知を取得する度に、記憶領域の値を第1態様で変更し、バックアップデータが生成されて第1モジュールから第2通知を取得する度に、記憶領域の値を第2態様で変更し、第2態様による変更で、記憶領域の値が所定のバックアップデータ生成値になった場合に、不揮発性メモリにバックアップデータの書き込みを行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
バックアップデータを生成する1つ以上の第1モジュールと、
前記バックアップデータを記憶する不揮発性メモリと、
前記第1モジュールからの通知に応じて値が変更される記憶領域を有し、前記記憶領域の値に基づいて前記不揮発性メモリに前記バックアップデータの書き込みを行う第2モジュールと、
を備え、
前記第2モジュールは、
前記第1モジュールから第1通知を取得する度に、前記記憶領域の値を第1態様で変更し、
前記バックアップデータが生成されて前記第1モジュールから第2通知を取得する度に、前記記憶領域の値を第2態様で変更し、
前記第2態様による変更で、前記記憶領域の値が所定のバックアップデータ生成値になった場合に、前記不揮発性メモリに前記バックアップデータの書き込みを行う
ことを特徴とするデータ記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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