特許
J-GLOBAL ID：201903008814133250

塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者：
増山 達郎

増山 達郎 について

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山口 訓史

山口 訓史 について

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市川 幸司

市川 幸司 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-118557
公開番号（公開出願番号）：特開2019-019121
出願日： 2018年06月22日
公開日（公表日）： 2019年02月07日
要約：
【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造できる塩及び該塩を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩。[式(I)中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。R1及びR2は、互いに独立に、水素原子等を表す。zは、0〜6のいずれかの整数を表す。X1は、*-CO-O-等を表す。L1は、単結合等を表す。Arは、置換基を有していてもよい炭素数6〜36の2価の芳香族炭化水素基を表す。R3は、炭素数1〜6の炭化水素基等を表す。R4は、水素原子又は炭素数1〜6の炭化水素基を表す。R5は、置換基を有していてもよい炭素数1〜24の炭化水素基等を表す。Z+は有機カチオンを表す。]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
式(I)で表される塩。
IPC (6件)：
C07C 309/17 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C07C 381/12 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/20
FI (6件)：
C07C309/17 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  C07C381/12 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/20 521
Fターム (41件)：
2H197AA12 ,  2H197AA24 ,  2H197CA01 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H197JA22 ,  2H225AF11P ,  2H225AF16P ,  2H225AF24P ,  2H225AF25P ,  2H225AF48P ,  2H225AF52P ,  2H225AF53P ,  2H225AF56P ,  2H225AF67P ,  2H225AF68P ,  2H225AF69P ,  2H225AF71P ,  2H225AF99P ,  2H225AH17 ,  2H225AH19 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ48 ,  2H225AJ53 ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225AN54P ,  2H225BA02P ,  2H225BA26P ,  2H225CA12 ,  2H225CB18 ,  2H225CC03 ,  2H225CC15 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB48
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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