特許
J-GLOBAL ID:201903008849421704
半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-205295
公開番号(公開出願番号):特開2019-079914
出願日: 2017年10月24日
公開日(公表日): 2019年05月23日
要約:
【課題】半導体モジュールの放熱性を向上させることができる技術を提供する。【解決手段】半導体モジュールは、冷却器を備える。冷却器の上面に配置されている板状部材を備える。板状部材の上面に配置されている半導体素子を備える。冷却器の上面と板状部材の下面との界面には、多孔質金属層が配置されている。多孔質金属層の孔部にグリスが含浸している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
冷却器と、
前記冷却器の上面に配置されている板状部材と、
前記板状部材の上面に配置されている半導体素子と、
を備えた半導体モジュールであって、
前記冷却器の上面と前記板状部材の下面との界面には、多孔質金属層が配置されており、
前記多孔質金属層の孔部にグリスが含浸している、半導体モジュール。
IPC (4件):
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H05K 7/20
FI (4件):
H01L23/36 D
, H01L25/04 C
, H05K7/20 D
, H05K7/20 P
Fターム (11件):
5E322AA01
, 5E322AA02
, 5E322AA05
, 5E322FA01
, 5E322FA04
, 5E322FA09
, 5F136BA03
, 5F136BC01
, 5F136DA27
, 5F136EA14
, 5F136GA30
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