特許
J-GLOBAL ID:201903009311850245

ESD保護素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-517456
特許番号:特許第6536768号
出願日: 2018年12月11日
要約:
【要約】 ESD保護素子(10)は、半導体基板(20)、配線層(30)、および、インダクタ導体(40)を備える。半導体基板(20)にはツェナーダイオードが形成されている。インダクタ導体(40)は、配線層(30)に形成されており、二次元スパイラル形状である。インダクタ導体(40)は、外周端から内周端に向けて第1インダクタ導体(41)と第2インダクタ導体(42)とが順に連続し、第1インダクタ導体(41)と第2インダクタ導体(42)との接続部の付近に接続導体部(410)を有する。第2インダクタ導体(42)の幅は、第1インダクタ導体(41)の幅よりも小さい。
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体領域を有し、前記半導体領域にサージ吸収素子が形成された基板と、 前記基板上に形成された配線層と、 前記配線層に形成され、外周端と内周端とを有するスパイラル形状のインダクタ導体と、 前記配線層上に形成された第1外部端子導体、第2外部端子導体、および、第3外部端子導体と、 を備え、 前記インダクタ導体は、前記外周端を含む外周側に配置された第1インダクタ導体と、前記内周端を含む内周側に配置された第2インダクタ導体と、第1インダクタ導体と第2インダクタ導体とを接続する接続導体部とを有し、 前記インダクタ導体の前記外周端は、前記第1外部端子導体に接続され、 前記インダクタ導体の前記内周端は、前記第2外部端子導体に接続され、さらに、 前記インダクタ導体の前記接続導体部は、前記サージ吸収素子を介して、前記第3外部端子導体に接続されており、 前記第2インダクタ導体の幅は、前記第1インダクタ導体の幅よりも小さい、 ESD保護素子。
IPC (2件):
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 L

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