特許
J-GLOBAL ID：201903009349131790

発光素子の製造方法

発明者：
南 稔浩

南 稔浩 について

, 
井上 芳樹

井上 芳樹 について

, 
森 祐太

森 祐太 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-090329
公開番号（公開出願番号）：特開2019-062176
出願日： 2018年05月09日
公開日（公表日）： 2019年04月18日
要約：
【課題】電極の上に密着膜を形成する場合に、成膜されない部分が生じることなく、簡便かつ確実に任意の密着膜を形成し、保護膜と電極との密着性を確保できる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体構造11の上面に、開口部を有するマスク12を形成する工程と、スパッタリング法により、マスクの開口部において露出した半導体構造の上面に導電材料からなる層13aを形成し、エッチングにより、半導体構造の上面に導電材料からなる層を形成する際に開口部の側面に付着した導電材料の少なくとも一部を除去し、半導体構造の上面に形成された導電材料を電極として、電極の表面に密着膜の材料膜14aを形成し、マスクを除去し、密着膜上に保護膜を形成する工程とをこの順に備える発光素子の製造方法。【選択図】図1D
請求項（抜粋）：
半導体構造の上面に、開口部を有するマスクを形成する工程と、 スパッタリング法により、前記マスクの開口部において露出した前記半導体構造の上面に導電材料からなる層を形成する工程と、 エッチングにより、前記半導体構造の上面に導電材料からなる層を形成する際に前記開口部の側面に付着した導電材料の少なくとも一部を除去する工程と、 前記半導体構造の上面に形成された導電材料を電極として、前記電極の表面に密着膜を形成する工程と、 前記マスクを除去する工程と、 前記密着膜上に保護膜を形成する工程と、をこの順に備える発光素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 33/36 ,  H01L 33/40 ,  H01L 33/44 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (7件)：
H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/44 S ,  H01L29/44 P ,  H01L21/28 301B
Fターム (40件)：
4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104DD68 ,  4M104EE05 ,  4M104EE17 ,  4M104EE20 ,  4M104FF03 ,  4M104FF08 ,  4M104FF11 ,  4M104FF16 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  5F241AA31 ,  5F241AA42 ,  5F241CA40 ,  5F241CA74 ,  5F241CA85 ,  5F241CA86 ,  5F241CA92 ,  5F241CA98 ,  5F241CB11 ,  5F241CB36
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM