特許

J-GLOBAL ID：201903009847616814

発光装置

発明者： 山崎 舜平 ,  平形 吉晴 ,  池田 寿雄
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-175838
公開番号（公開出願番号）：特開2019-024011
出願日： 2018年09月20日
公開日（公表日）： 2019年02月14日
要約：

【課題】開口率が高い発光装置を提供する。【解決手段】基板100と、基板100上に形成された第1の絶縁膜111と、第1の絶縁膜111上に形成された第1の隔壁131と、第1の絶縁膜111および第1の隔壁131を覆い、凹曲面の表面を有する第2の絶縁膜112と、第2の絶縁膜112上に形成され、第1の隔壁131と重なる位置に端部を有する第1の電極141と、第1の隔壁131上に形成され、第1の電極141の端部を覆う第2の隔壁132と、第1の電極141および第2の隔壁132上に形成されたEL層150と、EL層150上に形成された第2の電極142、の構成を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

配線と、 第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の第1の隔壁と、 前記第1の絶縁膜上および前記第1の隔壁上の第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上の電極と、 前記電極上の発光層と、を有し、 前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜と接する領域を有し、 前記電極は、前記領域上で前記第2の絶縁膜と接し、 前記電極は、前記第2の絶縁膜、前記隔壁及び前記第1の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記配線と接続される発光装置。

IPC (4件)：

H05B 33/22 ,  H01L 51/50 ,  H01L 27/32 ,  H05B 33/12

FI (4件)：

H05B33/22 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L27/32 ,  H05B33/12 B

Fターム (10件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC14 ,  3K107CC36 ,  3K107DD89 ,  3K107DD90 ,  3K107DD91 ,  3K107DD93 ,  3K107DD95

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-080915   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 有機EL表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-058823   出願人：東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社