特許
J-GLOBAL ID：201903009960081897
蓄電デバイス用弁装置及び蓄電デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
田中 順也
, 水谷 馨也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-196786
特許番号：特許第6540871号
出願日： 2018年10月18日
要約：
【課題】蓄電デバイスの内部でガスが発生した場合には、当該ガスを外部に放出することができ、かつ、外部環境からの水分の侵入を高度に抑制することができる、蓄電デバイス用の弁装置を提供する。
【解決手段】
蓄電デバイス素子と、前記蓄電デバイス素子を内部に収容する収容体とを備える蓄電デバイスの前記収容体に取り付けられる蓄電デバイス用弁装置であって、
前記弁装置は、前記収容体の内部において発生したガスに起因して前記収容体の内部の圧力が上昇した場合に該圧力を低下させるように構成されており、
前記弁装置は、25°C環境において、JIS Z2331:2006「ヘリウム漏れ試験方法」の「真空吹付け法(スプレー法)」に規定された方法に準拠して測定される、前記弁装置の二次側から一次側へのヘリウムリーク量が5.0×10-11Pa・m3/sec以上、5.0×10-6Pa・m3/sec以下である、蓄電デバイス用弁装置。
【選択図】なし
請求項（抜粋）：
【請求項1】 蓄電デバイス素子と、前記蓄電デバイス素子を内部に収容する収容体とを備える蓄電デバイスの前記収容体に取り付けられる蓄電デバイス用弁装置であって、
前記弁装置は、前記収容体の内部において発生したガスに起因して前記収容体の内部の圧力が上昇した場合に該圧力を低下させるように構成されており、
前記弁装置は、前記収容体の内部において発生したガスに起因して前記収容体の内部の圧力が上昇した場合に該圧力を低下させる弁機構が内部に形成された第1部分と、
前記収容体の内部において発生したガスを前記弁機構へ誘導する通気路が内部に形成された第2部分とを含み、
前記第2部分は、前記収容体の厚み方向に直交する方向である幅方向の端部に近づくほど薄く形成された翼状延端部を有し、
前記弁装置は、25°C環境において、JIS Z2331:2006「ヘリウム漏れ試験方法」の「真空吹付け法(スプレー法)」に規定された方法に準拠して測定される、前記弁装置の二次側から一次側へのヘリウムリーク量が5.0×10-11Pa・m3/sec以上、5.0×10-6Pa・m3/sec以下である、蓄電デバイス用弁装置。
IPC (6件)：
H01M 2/12 ( 200 6.01)
, H01M 2/02 ( 200 6.01)
, H01G 11/14 ( 201 3.01)
, H01G 11/78 ( 201 3.01)
, F16K 17/04 ( 200 6.01)
, G01M 3/20 ( 200 6.01)
H01M 2/12 102
, H01M 2/02 K
, H01G 11/14
, H01G 11/78
, F16K 17/04 C
, G01M 3/20 B
