特許

J-GLOBAL ID：201903010677067010

シリコンチップ及びその製造方法

発明者： 平野 愛弓 ,  但木 大介
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  山▲崎▼ 雄一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-032551
公開番号（公開出願番号）：特開2019-146509
出願日： 2018年02月26日
公開日（公表日）： 2019年09月05日
要約：

【課題】有機溶剤フリーで形成できるもので、微細孔エッジの耐久性に優れた人工脂質二分子膜形成用のシリコンチップ及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板に設けられた貫通孔と、この貫通孔を覆うように設けられた窒化シリコン膜21と、この上に設けられた第1酸化シリコン膜22と、前記貫通孔の前記シリコン基板の内面及び前記窒化シリコン膜の前記第1酸化シリコン膜とは反対側に設けられた第2酸化シリコン膜23と、前記第1酸化シリコン膜、前記窒化シリコン膜及び前記第2酸化シリコン膜に設けられた微細孔と、を具備し、前記微細孔は、前記第2酸化シリコン側から前記第1酸化シリコン側の開口に向かって前記開口側ほど内径が漸大する形状であり、前記微細孔の内周面は、前記窒化シリコン膜の領域の内周面である第1傾斜面31aと、前記第1酸化シリコン膜の領域の内周面である第2傾斜面32aとを含み、前記第2傾斜面の膜厚方向に対して傾斜する傾きが、前記第1傾斜面の傾きより大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板に設けられた貫通孔と、この貫通孔を覆うように設けられた窒化シリコン(Si3N4)膜と、この上に設けられた第1酸化シリコン(SiO2)膜と、前記貫通孔の前記シリコン基板の内周面及び前記窒化シリコン膜の前記第1酸化シリコン膜とは反対側に設けられた第2酸化シリコン膜と、前記第1酸化シリコン膜、前記窒化シリコン膜及び前記第2酸化シリコン膜に設けられた微細孔と、前記第2酸化シリコン膜上に設けられ且つ前記微細孔を通る境界線を挟んで両側に配置された一対の電極とを具備し、前記電極は、融点が700°C以下の金属又は合金からなり、前記電極の前記境界線側の端部が前記境界線側ほど厚さが漸減していることを特徴とするシリコンチップ。

IPC (4件)：

C12M 1/34 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532

FI (3件)：

C12M1/34 B ,  H01L21/88 N ,  H01L21/90 S

Fターム (27件)：

4B029AA07 ,  4B029AA27 ,  4B029BB15 ,  4B029FA15 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033NN30 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR24 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV00 ,  5F033WW03