特許
J-GLOBAL ID:201903010778716303
誘電体材料評価装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-195997
公開番号(公開出願番号):特開2019-070549
出願日: 2017年10月06日
公開日(公表日): 2019年05月09日
要約:
【課題】小型で誘電率が高い誘電体材料の実効比誘電率、比誘電率を正確かつ簡便に計測・評価可能とする。【解決手段】本発明の誘電体材料評価装置は、支持基板1と、支持基板1上に形成された導線路2a、2bと、プローブが接続される入力側ポート3aと出力側ポート3bを備えている。計測対象のDUT4は、導線路2aから隔離した状態で導線路2b上に載置される。入力側ポート3aから入力された高周波信号は、水平線路部2aを通って直接出力側ポート3bに到るものと、一部DUT4が載置され、波長短縮効果を受ける領域を含む垂直線路部2bを経由して出力側ポート3bに到るものとに分断されるので、出力側ポート3bから出力される高周波を計測し、DUT4の有無に応じた共振周波数の変化量を評価することにより、DUT4の実効比誘電率を算出することができる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
支持基板と、
前記支持基板上に形成された少なくともの2本の導線路であって、互いに交差し、一方に計測対象の誘電体材料が載置されるとともに、他方が前記誘電体材料から隔離されている導線路と、
前記他方の導線路の両端に設けられた、プローブが接続される入力側ポート及び出力側ポートとを備えていることを特徴とする誘電体材料評価装置。
IPC (6件):
G01R 27/26
, H01P 7/08
, H01P 3/08
, H01P 3/00
, G01R 35/00
, G01N 22/00
FI (7件):
G01R27/26 H
, H01P7/08
, H01P3/08 100
, H01P3/00 100
, G01R35/00 J
, G01N22/00 Y
, G01N22/00 K
Fターム (10件):
2G028AA01
, 2G028BB05
, 2G028CG09
, 2G028CG13
, 2G028DH15
, 2G028MS02
, 5J006HB03
, 5J006NA01
, 5J014AA01
, 5J014CA00
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献:
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