特許

J-GLOBAL ID：201903010846284840

磁歪材料およびそれを用いた磁歪式デバイス

発明者： 田中 武拓 ,  酒井 一樹 ,  中村 太一 ,  桑原 涼
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (2件)： 松谷 道子 ,  吉田 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-058319
公開番号（公開出願番号）：特開2019-169673
出願日： 2018年03月26日
公開日（公表日）： 2019年10月03日
要約：

【課題】大きい磁歪量を示し、かつ機械的強度に優れた磁歪材料を提供する。【解決手段】下記式(1) Fe(100-x-y)GaxSmy・・・(1) (式(1)中、xおよびyは、それぞれGa含有率(at%)およびSm含有率(at%)であり、y≦0.35x-4.2、y≦-x+20.1かつy≧-0.1x+2.1を満たす) で表されるFeGaSm合金からなる、 磁歪材料。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

下記式(1) Fe(100-x-y)GaxSmy・・・(1) (式(1)中、xおよびyは、それぞれGa含有率(at%)およびSm含有率(at%)であり、y≦0.35x-4.2、y≦-x+20.1かつy≧-0.1x+2.1を満たす) で表されるFeGaSm合金からなる、 磁歪材料。

IPC (3件)：

H01L 41/20 ,  G01L 3/10 ,  H01L 41/12

FI (3件)：

H01L41/20 ,  G01L3/10 301B ,  H01L41/12