特許
J-GLOBAL ID：201903010857806890
荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
重野 剛
, 重野 隆之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-150037
公開番号（公開出願番号）：特開2018-019019
特許番号：特許第6575455号
出願日： 2016年07月29日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上のレジスト膜に荷電粒子ビームを照射し、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクに前記レジスト膜の下層の遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成する荷電粒子ビーム描画方法であって、
描画データに基づいて、基板に描画するパターンの面積率を算出する工程と、
レジスト面積率とレジスト減膜量との関係を示すデータと、算出した前記面積率とから、エッチングによるレジスト減膜量を算出する工程と、
荷電粒子ビーム照射前の前記レジスト膜の初期膜厚と、算出した前記レジスト減膜量とを用いて、エッチング後のレジスト残膜厚分布を算出する工程と、
前記レジストパターンの膜厚と前記遮光膜パターンの寸法との相関性を示すデータと、算出した前記レジスト残膜厚分布とから、前記遮光膜パターンの寸法分布を予測する工程と、
予測した前記遮光膜パターンの寸法分布と、設計寸法とから、前記遮光膜パターンの寸法補正量を求めて第1寸法補正マップを作成する工程と、
大局的寸法変動を補正するための第2寸法補正マップと、前記第1寸法補正マップとを合成して第3寸法補正マップを作成する工程と、
前記第3寸法補正マップを用いて、荷電粒子ビームの照射量を算出する工程と、
算出した照射量で前記レジスト膜に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する工程と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
H01L 21/30 541 M
, G03F 7/20 504
