特許

J-GLOBAL ID：201903011476490434

磁気抵抗効果素子

発明者： 中田 勝之
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  荒 則彦 ,  飯田 雅人 ,  荻野 彰広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-094448
公開番号（公開出願番号）：特開2019-201095
出願日： 2018年05月16日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
要約：

【課題】温度変化に対するMR比の変動の少ない磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】この磁気抵抗効果素子は、第1強磁性層と、第2強磁性層と、前記第1強磁性層及び前記第2強磁性層の間に挟持されたトンネルバリア層と、を備え、前記トンネルバリア層は、スピネル構造の酸化物であり、前記トンネルバリア層は、添加元素として磁性元素を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1強磁性層と、第2強磁性層と、前記第1強磁性層及び前記第2強磁性層の間に挟持されたトンネルバリア層と、を備え、 前記トンネルバリア層は、スピネル構造の酸化物であり、 前記トンネルバリア層は、添加元素として磁性元素を含む、磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

H01L43/10 ,  H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12

Fターム (43件)：

4M119AA10 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ07 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA02 ,  5F092AA15 ,  5F092AB01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC42 ,  5F092BE02 ,  5F092BE11 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02 ,  5F092CA11 ,  5F092CA14 ,  5F092CA23 ,  5F092CA25 ,  5F092GA01