特許
J-GLOBAL ID:201903011838456515

表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 園田・小林特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-228385
公開番号(公開出願番号):特開2019-109505
出願日: 2018年12月05日
公開日(公表日): 2019年07月04日
要約:
【課題】低消費電力を具現することができる表示装置を提供する。【解決手段】アクティブ領域に多結晶半導体層154を有する第1薄膜トランジスタ150と酸化物半導体層104を有する第2薄膜トランジスタ100が配置され、ベンディング領域BAに配置される少なくとも一つの開口部192とアクティブ領域に配置される複数のコンタクトホールのいずれか一つは深さが同一であり、電圧差が大きい高電位供給ライン172と低電位供給ライン162は水平方向に離隔するように配置され、電圧差が小さいレファレンスラインRLと低電位供給ライン162は互いに重畳するように配置される。【選択図】図7
請求項(抜粋):
アクティブ領域とベンディング領域を有する基板と; 前記アクティブ領域に配置され、第1半導体層を有する第1薄膜トランジスタと; 前記アクティブ領域に配置され、第2半導体層を有する第2薄膜トランジスタと; 前記アクティブ領域に配置される複数のコンタクトホールと; 前記ベンディング領域に配置され、前記複数のコンタクトホールの少なくとも一つと同一の深さを有する少なくとも一つの開口部と; 前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタのいずれか一つと接続されるレファレンスラインと; 前記レファレンスラインと重畳するように配置される低電位供給ラインとを含む、表示装置。
IPC (6件):
G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/02 ,  H01L 27/32
FI (9件):
G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 619A ,  G09F9/30 365 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/02 ,  H01L27/32
Fターム (41件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC41 ,  3K107DD17 ,  3K107DD39 ,  3K107DD41Z ,  3K107DD90 ,  3K107EE04 ,  3K107FF15 ,  3K107HH05 ,  5C094AA22 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA10 ,  5C094FB14 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN41 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ08
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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