特許
J-GLOBAL ID：201903012221850670
マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
永田 豊
, 大島 孝文
, 太田 司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-161104
公開番号（公開出願番号）：特開2018-205769
出願日： 2018年08月30日
公開日（公表日）： 2018年12月27日
要約：
【課題】窒化ケイ素系材料から形成された単層膜で構成された遮光膜が、ArF露光光に対する高い遮光性能を有するとともに、遮光膜のパターンのEMFバイアスを低減することができるマスクブランクを提供する。【解決手段】マスクブランクは、透光性基板上に、遮光膜を備える。遮光膜は、ArF露光光に対する光学濃度が3.0以上である。遮光膜のArF露光光に対する屈折率nおよび消衰係数kは、以下の式(1)、式(2)および式(3)に規定する関係を同時に満たす。 n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083・・・式(1) n≧0.0637×k2-0.1096×k+0.9585・・・式(2) n≧0.7929×k2-2.1606×k+2.1448・・・式(3)【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、遮光膜を備えたマスクブランクであって、
前記遮光膜は、ケイ素と窒素とからなる材料、または半金属元素および非金属元素から選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素とからなる材料で形成された単層膜であり、
前記遮光膜は、ArFエキシマレーザーの露光光に対する光学濃度が3.0以上であり、
前記遮光膜の前記露光光に対する屈折率nおよび消衰係数kは、以下の式(1)、式(2)および式(3)に規定する関係を同時に満たす
ことを特徴とするマスクブランク。
n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083・・・式(1)
n≧0.0637×k2-0.1096×k+0.9585・・・式(2)
n≧0.7929×k2-2.1606×k+2.1448・・・式(3)
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
2H195BA07
, 2H195BB16
, 2H195BC04
, 2H195BC05
, 2H195BC24
, 2H197BA11
, 2H197CA06
, 2H197CA08
, 2H197HA03
