特許

J-GLOBAL ID：201903012516720973

磁気メモリ素子及び該磁気メモリ素子に用いる磁性材料

発明者： 森山 貴広 ,  小野 輝男 ,  関 剛斎 ,  周 偉男 ,  高梨 弘毅
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-132264
公開番号（公開出願番号）：特開2019-016673
出願日： 2017年07月05日
公開日（公表日）： 2019年01月31日
要約：

【課題】情報の書き込み速度が速く、且つ消費電力が小さい磁気メモリ素子を提供する。【解決手段】磁気メモリ素子10は、第1方向と第2方向の少なくとも2方向において反強磁性となり得る反強磁性体から成る記録部(記録層11)と、前記記録部に接して、又は該記録部との間に導電性部材を介して設けられた、スピンホール効果を有する物質から成るスピン流生成部(第1スピン流生成部121、第2スピン流生成部122)と、前記スピン流生成部に、前記第1方向に垂直な電流を流す第1電流導入部131と、前記スピン流生成部に、前記第2方向に垂直な電流を流す第2電流導入部132とを備える。第1電流導入部又は第2電流導入部からスピン流生成部に電流を流すだけで記録部に情報を記録することができるため、情報の書き込み速度が速く、且つ消費電力が小さい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

a) 第1方向と第2方向の少なくとも2方向において反強磁性となり得る反強磁性体から成る記録部と、 b) 前記記録部に接して、又は該記録部との間に導電性部材を介して設けられた、スピンホール効果を有する物質から成るスピン流生成部と、 c) 前記スピン流生成部に、前記第1方向に垂直な電流を流す第1電流導入部と、 d) 前記スピン流生成部に、前記第2方向に垂直な電流を流す第2電流導入部と を備えることを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/06 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L27/105 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/06 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (23件)：

4M119AA01 ,  4M119AA05 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119BB07 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD23 ,  5F092AA03 ,  5F092AA04 ,  5F092AA05 ,  5F092AB06 ,  5F092AC02 ,  5F092AC04 ,  5F092AC26 ,  5F092AD25 ,  5F092BA02 ,  5F092BB43 ,  5F092BB45 ,  5F092BD13 ,  5F092BE06 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24