特許

J-GLOBAL ID：201903012904583325

結晶性酸化物薄膜、半導体装置

発明者： 人羅 俊実 ,  織田 真也
出願人/特許権者： 株式会社FLOSFIA
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-126538
公開番号（公開出願番号）：特開2018-203613
出願日： 2018年07月03日
公開日（公表日）： 2018年12月27日
要約：

【課題】コランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜がアニール(加熱)工程後においても高抵抗化しない、導電性に優れた結晶性積層構造体を形成する結晶性酸化物薄膜の提供。【解決手段】下地基板1と、下地基板1上に直接又は別の層を介してコランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜3であって、膜厚が1μm以上であり、電気抵抗率が80mΩcm以下であり、さらに、ドーピングされており、かつ、少なくともガリウムを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

コランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜であって、 膜厚が1μm以上であり、 電気抵抗率が80mΩcm以下であり、 さらに、ドーピングされており、かつ、少なくともガリウムを含むことを特徴とする結晶性酸化物薄膜。

IPC (10件)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861

FI (11件)：

C30B29/16 ,  C30B25/02 Z ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 F

Fターム (62件)：

4G077AA03 ,  4G077AB06 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077HA12 ,  4K030AA14 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA19 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045CA15 ,  5F045DP04 ,  5F045DP07 ,  5F045EE02 ,  5F045EK06 ,  5F045HA16 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL02 ,  5F053PP03 ,  5F110AA07 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04