特許

J-GLOBAL ID：201903012929922582

炭化ケイ素MOSFETセルの形成方法

発明者： スティーブン・デイリー・アーサー ,  ケビン・マトーチャ ,  ピーター・サンドヴィック ,  ザカリー・スタム ,  ピーター・ロージー ,  ジェームズ・マックマホン
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (5件)： 関口 一哉 ,  荒川 聡志 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久 ,  田中 拓人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-163237
公開番号（公開出願番号）：特開2013-030774
特許番号：特許第6588685号
出願日： 2012年07月24日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の材料層(110)の内部にウェル(114/115)を形成するステップであって、前記ウェル(114/115)がXY断面平面内で一般にU字形状を有し、前記第1の材料層(110)が第1の導電型にドープされ、前記ウェル(114/115)が第2の導電型にドープされる、ステップと、 前記ウェル(114/115)の端部領域の上に前記XY断面平面に垂直なZ方向に延びる第1および第2のスペーサ(232)を形成するステップと、 前記ウェル(114/115)を第1の導電型にドープして、前記U字形状をしたウェル(114/115)の直立した脚部間の中間領域(118/119)の内部に第1および第2のソース(122/123/124/125)とソースラング(262)とを含む第1の導電型領域を形成するステップと、 前記第1の導電型領域の上にX方向に延びるマスク(240A)を形成するステップと、 前記第1および第2のソース(122/123/124/125)と前記ソースラング(262)とを含まない前記第1の導電型領域を第2の導電型にカウンタードープして、前記中間領域(118/119)の内部にボディ領域(118/119)を形成するステップであって、前記ボディ領域(118/119)が前記第1および第2のソース(122/123/124/125)の前記Z方向に延びる部分の間にあり且つ第2の導電型にドープされる、ステップと、 を含み、 前記第1および第2のソース(122/123/124/125)がX方向に間隔を空けて設けられ且つ第1の導電型にドープされ、前記第1および第2のソース(122/123/124/125)の各々が前記Z方向に延びる部分を有し、 前記中間領域(118/119)の内部にソースラング(262)が形成され、 前記第1および第2のソース(122/123/124/125)、前記ボディ領域(118/119)、および前記ソースラング(262)が、マスクの形成と除去による自己整合技術を使用して形成され、 前記カウンタードープに際し、前記第1および第2のソース(122/123/124/125)がマスキングされ、前記第1および第2のソース(122/123/124/125)を接続するラング領域(262)がマスキングされ、露出した第1の導電型領域が第2の導電型にカウンタードープされ、 2つのボディ領域(252)の間に連続するソースラング(262)が配置され、各ソースラング(262)が前記X方向に延び、前記ソースラング(262)がZ方向に間隔を空けて設けられ、各ソースラング(262)が前記第1および第2のソース(122/123/124/125/260)に沿った異なる位置において前記第1および第2のソース(122/123/124/125/260)のZ方向に延びる部分に接続し、 前記ソースラング(262)と前記ボディ領域(252)との間のコンタクト抵抗を制御するために、ソースラング(262)面積とボディ領域(252)面積との比率が、前記ソースラング(262)のZ方向の幅を規定する前記X方向に延びるマスク(240A)によって決定される、 方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電力用MOSトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087378   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-214865   出願人：株式会社東芝