特許

J-GLOBAL ID：201903013352199564

太陽電池素子用シリコン基板の製造方法

発明者： 谷津 克也
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-112208
公開番号（公開出願番号）：特開2019-004148
出願日： 2018年06月12日
公開日（公表日）： 2019年01月10日
要約：

【課題】外部拡散(アウトディフュージョン)の影響を低減しつつ、シリコン基板の一方の面へのホウ素化合物の拡散と、他方の面へのリン化合物の拡散とを同じ温度で同時に行うことによって、短時間で効率よく太陽電池素子用シリコン基板を製造できる、太陽電池素子用シリコン基板の製造方法を提供すること。【解決手段】2枚のシリコン基板において、それぞれ第1面にリン化合物含有層を形成し、第1面の裏面である第2面にホウ素化合物含有層を形成し、次いで、2枚のシリコン基板を、リン化合物含有層同士、又はホウ素化合物含有層同士が接触するように配置して、複合シリコン基板を得、得られた複合シリコン基板を加熱して、複合シリコン基板中のシリコン基板における、第1面へのリン化合物の拡散と、第2面へのホウ素化合物の拡散とを同時に行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

2枚のシリコン基板において、それぞれ第1面に、不純物拡散成分としてリン化合物を含む第1の不純物拡散剤組成物を塗布して、リン化合物含有層を形成することと、 2枚の前記シリコン基板において、ぞれぞれ、前記第1面の裏面である第2面に、不純物拡散成分としてホウ素化合物を含む第2の不純物拡散剤組成物を塗布して、ホウ素化合物含有層を形成することと、 前記リン化合物含有層と、前記ホウ素化合物含有層とをそれぞれ備える、2枚の前記シリコン基板を、前記リン化合物含有層同士、又は前記ホウ素化合物含有層同士が接触するように配置して、複合シリコン基板を得ることと、 前記複合シリコン基板を加熱することにより、前記複合シリコン基板中の前記シリコン基板における、前記第1面への前記リン化合物の拡散と、前記第2面への前記ホウ素化合物の拡散とを同時に行うことと、 を含み、 前記リン化合物含有層の形成と、前記ホウ素化合物含有層の形成とは、いずれか一方が先に行われるか、同時に行われる、太陽電池素子用シリコン基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/18 ,  H01L 21/225 ,  H01L 31/068

FI (4件)：

H01L31/04 440 ,  H01L21/225 R ,  H01L21/225 Q ,  H01L31/06 300

Fターム (5件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151DA04 ,  5F151GA04