特許

J-GLOBAL ID：201903013480346820

金属膜形成装置及び金属膜形成方法

発明者： 大参 宏昌 ,  安武 潔 ,  久保田 雄介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017040626
公開番号（公開出願番号）：WO2018-088536
出願日： 2017年11月10日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

大気圧プラズマ化学輸送(APECT)法を用いた金属膜形成装置において、その制御装置7は、水素導入口4から処理容器1内に水素が導入された場合に、高周波電源6を制御し、原料金属5の周囲に水素プラズマを発生させる。この高周波電源6によって原料金属5のプラズマ発生領域における単位面積当たりに与えられる高周波電力の密度A、原料金属5と基板Sとの間の距離B、処理容器1内の原料金属5の周囲の圧力Cは、所定の関係を有しており、従来では、形成できなかった金属膜を形成できるようになる。

請求項（抜粋）：

処理容器と、 前記処理容器内に配置され基板を保持する基板ホルダーと、 前記処理容器内の前記基板ホルダーに対向する位置に配置される原料金属ホルダーと、 前記処理容器内に水素を導入するための水素導入口と、 前記原料金属ホルダーに配置される原料金属に接続された高周波電源と、 前記高周波電源を制御する制御装置と、 を備え、 前記制御装置は、前記水素導入口から前記処理容器内に水素が導入された場合に、前記高周波電源を制御し、前記原料金属の周囲に水素プラズマを発生させ、 前記高周波電源によって前記原料金属のプラズマ発生領域における単位面積当たりに与えられる高周波電力の密度A、 前記原料金属と前記基板との間の距離B、 前記処理容器内の前記原料金属の周囲の圧力Cは、 A≧300(W/cm2) 0.1(mm)≦B≦15(mm) 80(Pa)≦C≦0.2(MPa) を満たすように設定される、金属膜形成装置。

IPC (5件)：

C23C 14/22 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C14/22 Z ,  C23C14/14 Z ,  C23C14/24 R ,  C23C14/34 R ,  H05H1/46 A

Fターム (36件)：

2G084AA04 ,  2G084AA13 ,  2G084BB02 ,  2G084BB05 ,  2G084BB13 ,  2G084BB14 ,  2G084BB23 ,  2G084CC33 ,  2G084DD12 ,  2G084DD14 ,  2G084DD17 ,  2G084DD25 ,  2G084DD63 ,  2G084DD67 ,  2G084FF04 ,  2G084FF13 ,  2G084FF19 ,  2G084FF32 ,  2G084FF39 ,  2G084FF40 ,  4K029BA08 ,  4K029CA00 ,  4K029CA02 ,  4K029CA06 ,  4K029DA03 ,  4K029DA04 ,  4K029DB03 ,  4K029DB07 ,  4K029DB14 ,  4K029DB17 ,  4K029DC03 ,  4K029DC13 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4K029EA09 ,  4K029JA01